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光譜儀硅鋰漂移探測器

發(fā)布時間:2020-07-24 09:41:34         點擊:3731

       光譜儀硅鋰漂移探測器是在P型硅表面蒸發(fā)一層金屬鋰并擴散形成PN結(jié),然后在反向電壓和適當(dāng)溫度下使鋰離子在硅原子之間漂移入硅中,由于鋰離子很容易吸引一個自由電子而成為施主,從而與硅中的P型(受主)雜質(zhì)實現(xiàn)補償而形成高阻的本征層(探測器的靈敏區(qū))

光譜儀硅鋰漂移探測器

光譜儀硅鋰漂移探測器


       硅()探測器的特點是靈敏層厚度可以做得相當(dāng)大(3-10毫米),因而探測器電容也比較小,探測效率高,但是必須在液氮冷卻下保存(因為在室溫下鋰離子的遷移能力已經(jīng)不能忽略了,而鋰離子的遷移會破壞在制備硅()探測器時達到的精密補償。這是硅()探測器保存時候也需要在液氮溫度的根本原因。當(dāng)然還有其它原因)和工作,一般說來其能量分辨、高計數(shù)率性能、使用方便性、體積和價格等性能都不如硅漂移探測器。

       請注意:硅鋰漂移探測器和硅漂移探測器是兩種不同的探測器,硅鋰漂移探測器是因為在制造過程中采用了鋰離子漂移補償?shù)姆椒ǘ妹?,而硅漂移探測器則是射線產(chǎn)生的載流子(電子-空穴對)中的電子先必須漂移到陽極區(qū)以后才能形成可以測量的電信號(硅漂移探測器中空穴對電信號沒有貢獻)而得名。 

 

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